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分子束外延電子束蒸發源

  • 多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM
  • 多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM
多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

  • 型號:EBVM
  • 產品描述:多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于Si-Ge的MBE系統。
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多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于SiGe的MBE系統。

特點:

法蘭尺寸:CF200/CF250

腔體內直徑:195mm/245mm

腔體內長度:對于4個8cc坩堝和3個15cc坩堝:250mm; 對于6個8cc坩堝:330mm; 對于6個15cc坩堝:350mm

坩堝容量:8cc, 15cc

加熱區域:直徑30mm(15°傾角)×15mm深度,直徑37mm(15°傾角)×17mm深度

燈絲類型:W螺旋線圈,電子發射燈絲

外部烘烤溫度:200℃

工作氣壓:1×10-11mbar~1×10-5mbar

加速電壓:4-10kV

電子束功率:最高6kW(3kW,根據電源功率)

燈絲電流:最高50A

束斑尺寸:直徑約5mm

電子束發射方式:磁場偏轉270°

束斑偏轉:x方向±3A,y方向±3A

冷卻方式:循環水冷卻,水流量6l/min,壓力3bar

選配:水冷屏,擋板


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郵箱:Info@be-instruments.com

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